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TMOS POWER FET 16 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 0.24 OHM

TMOS E-FET™ Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advan

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 400V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.24Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

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N?묬hannel Power MOSFET

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更新时间:2026-1-1 11:45:01
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