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TMOSPOWERFET16AMPERES400VOLTSRDS(on)=0.24OHM

TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistorTO-247withIsolatedMountingHole N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvan

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N?묬hannelPowerMOSFET

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

StarMOSTPowerMOSFET

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Good-Ark

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更新时间:2024-6-23 20:00:01
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