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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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FOSTER

福斯特半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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High Energy Power FET

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安森美半导体

TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 250 VOLTS

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Motorola

摩托罗拉

更新时间:2025-12-27 16:42:01
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