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位置：首页 > IC中文资料第9855页 > WE512K16-150G4Q

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
WE512K16-150G4Q

512Kx16 CMOS EEPROM MODULE

FEATURES ■ Access Time of 140, 150, 200ns ■ Packaging: • 68 lead, 40mm Hermetic CQFP (Package 501) ■ Organized as 4 banks of 128Kx16 ■ Write Endurance 10,000 Cycles ■ Data Retention Ten Years Minimum ■ Military Temperature Range ■ Low Power CMOS ■ Automatic Page Write Operation ■ Pag

WEDC

WE512K16-150G4QA

512Kx16 CMOS EEPROM MODULE

FEATURES ■ Access Time of 140, 150, 200ns ■ Packaging: • 68 lead, 40mm Hermetic CQFP (Package 501) ■ Organized as 4 banks of 128Kx16 ■ Write Endurance 10,000 Cycles ■ Data Retention Ten Years Minimum ■ Military Temperature Range ■ Low Power CMOS ■ Automatic Page Write Operation ■ Pag

WEDC

WE512K16-150G4C

512Kx16 CMOS EEPROM MODULE

FEATURES ■ Access Time of 140, 150, 200ns ■ Packaging: • 68 lead, 40mm Hermetic CQFP (Package 501) ■ Organized as 4 banks of 128Kx16 ■ Write Endurance 10,000 Cycles ■ Data Retention Ten Years Minimum ■ Military Temperature Range ■ Low Power CMOS ■ Automatic Page Write Operation ■ Pag

WEDC

WE512K16-150G4CA

512Kx16 CMOS EEPROM MODULE

FEATURES ■ Access Time of 140, 150, 200ns ■ Packaging: • 68 lead, 40mm Hermetic CQFP (Package 501) ■ Organized as 4 banks of 128Kx16 ■ Write Endurance 10,000 Cycles ■ Data Retention Ten Years Minimum ■ Military Temperature Range ■ Low Power CMOS ■ Automatic Page Write Operation ■ Pag

WEDC

WE512K16-150G4I

512Kx16 CMOS EEPROM MODULE

FEATURES ■ Access Time of 140, 150, 200ns ■ Packaging: • 68 lead, 40mm Hermetic CQFP (Package 501) ■ Organized as 4 banks of 128Kx16 ■ Write Endurance 10,000 Cycles ■ Data Retention Ten Years Minimum ■ Military Temperature Range ■ Low Power CMOS ■ Automatic Page Write Operation ■ Pag

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WE512K16-150G4IA

512Kx16 CMOS EEPROM MODULE

FEATURES ■ Access Time of 140, 150, 200ns ■ Packaging: • 68 lead, 40mm Hermetic CQFP (Package 501) ■ Organized as 4 banks of 128Kx16 ■ Write Endurance 10,000 Cycles ■ Data Retention Ten Years Minimum ■ Military Temperature Range ■ Low Power CMOS ■ Automatic Page Write Operation ■ Pag

WEDC

WE512K16-150G4M

512Kx16 CMOS EEPROM MODULE

FEATURES ■ Access Time of 140, 150, 200ns ■ Packaging: • 68 lead, 40mm Hermetic CQFP (Package 501) ■ Organized as 4 banks of 128Kx16 ■ Write Endurance 10,000 Cycles ■ Data Retention Ten Years Minimum ■ Military Temperature Range ■ Low Power CMOS ■ Automatic Page Write Operation ■ Pag

WEDC

WE512K16-150G4Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    WE512K16-150G4Q

  • 功能描述

    EEPROM|512KX16|CMOS|QFL|68PIN|CERAMIC

WE512K16-150G4Q供应商更多...

更新时间：2025-11-23 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
艾睿（深圳）半导体有限公司
WE-512K8-200CQ=5962-9309104HYA
WEDC
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