| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 150V, 62A, RDS(ON) = 19mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. | CET-MOS 华瑞 | |||
N-Channel 900V (D-S) Super Junction Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS • Server and telecom power supplies • Switch mode power supplies (SMPS) • Power factor correction | VBSEMI 微碧半导体 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
EPT |
24+ |
500 |
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VTC |
25+ |
PLCC44 |
552 |
全新原装正品支持含税 |
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VBsemi(台湾微碧) |
2447 |
TO220 |
115000 |
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CINCH |
25+ |
连接器 |
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VTC |
23+ |
QFP24 |
3000 |
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VBSEMI |
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VTC |
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原装现货 |
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2018-12-30
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