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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 150V, 62A, RDS(ON) = 19mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

N-Channel 900V (D-S) Super Junction Power MOSFET

FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS • Server and telecom power supplies • Switch mode power supplies (SMPS) • Power factor correction

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2026-1-2 16:01:01
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