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WAB400M12BM3

1200 V, 400 A All-Silicon Carbide THB-80 Qualified, Conduction Optimized, Half-Bridge Module

Technical Features • Industry Standard 62mm Footprint • High Humidity Operation THB-80 (HV-H3TRB) • High Junction Temperature (175 °C) Operation • Implements Conduction Optimized Third Generation SiC MOSFET Technology • Low Inductance (10.2 nH) Design • Silicon Nitride Insulator and Copper

WOLFSPEED

WAB400M12BM3

All-SiC Power Module

FEATURES ·VDS=1200V,ID= 400A ·Zero Reverse Recovery Current from Diode ·Zero Turn-Off Tail Current from MOSFET ·High-Frequency Operation ·Ease of Paralleling ·Ultra Low Loss APPLICATIONS ·Solar and Wind Inverters ·Industrial Automation & Testing ·Induction Heating ·EV Chargers

ISC

无锡固电

WAB400M12BM3

62mm (BM2 & BM3) Silicon Carbide Half-Bridge Power Modules

WOLFSPEED

更新时间:2026-1-5 22:33:00
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