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N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET

DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V (Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =1.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET

文件:82.74 Kbytes Page:8 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-8-9 17:09:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
22+
TO-247
25000
只做原装进口现货,专注配单
ST
23+
TO-3P
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ST
22+
TO247
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TO-3P
6200
ST/意法
23+
TO-2547
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
ST
24+
TO-3P
795

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