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20A,500V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET

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THINKISEMI

思祁半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.25Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N - CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A - TO-247 PowerMESH MOSFET

文件:86.82 Kbytes Page:8 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2026-1-1 23:01:01
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