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VQ1000P中文资料
VQ1000P产品属性
- 类型
描述
- 型号
VQ1000P
- 功能描述
MOSFET QD 60V 0.225A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间:2024-5-15 9:33:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
DIP |
1423 |
价格优势!军工IC一级分销商!可开增值税发票! |
||||
VISHAY |
23+ |
DIP14 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
VISHAY/威世 |
2023+ |
PDIP-14 |
6895 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
|||
SIL |
专业军工 |
CDIP |
860 |
只做原装正品现货授权货源 |
|||
SVISHAY |
2024+实力库存 |
DIP14 |
48 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
SIL |
585 |
全部原装现货优势产品 |
|||||
SIL |
18+ |
CDIP |
330 |
现货正品专供军研究院 |
|||
SIL |
CDIP20 |
108 |
|||||
SI |
1430+ |
DIP |
5800 |
全新原装,公司大量现货供应,绝对正品 |
|||
SI |
23+ |
DIP |
1050 |
特价库存 |
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