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VQ1000J中文资料
VQ1000J产品属性
- 类型
描述
- 型号
VQ1000J
- 功能描述
MOSFET QD 60V 0.225A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间:2024-5-15 16:27:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay |
23+ |
DIP-14 |
9980 |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
|||
VISHAY/威世 |
20+ |
DIP14 |
67500 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
DIP14 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
SILICON |
1912+ |
DIP14 |
50000 |
绝对原装进口现货可开17%增值税发票 |
|||
SILICON |
2022 |
DIP14 |
5280 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
|||
SILICIO |
2020+ |
DIP14 |
3 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
22+ |
SMD |
7500 |
绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电! |
||||
SIL |
11+ |
DIP |
2110 |
特价热销现货库存100%原装正品欢迎来电订购! |
|||
SILICONIX |
22+ |
DIP14 |
1981 |
⊙⊙新加坡大量现货库存,深圳常备现货!欢迎查询!⊙ |
|||
DG/SIL |
DIP |
350 |
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