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厂家型号	VBT10202C-M3SLASH4W
文件大小	159.09Kbytes
页面数量	6页
功能描述	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
简称	VISHAY【威世科技】
生产厂商	Vishay Siliconix
中文名称	官网

• Trench MOS Schottky technology Gen 2

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,

per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and

TO-262AA package)

VBT10202C-M3SLASH4W供应商...

更新时间：2025-10-6 14:16:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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