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VBT10200C-E3中文资料

厂家型号

VBT10200C-E3

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202.16Kbytes

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6

功能描述

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO263AB

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

VBT10200C-E3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

(for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency converters, switching power

supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC

converters and reverse battery protection.

MECHANICAL DATA

Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB and TO-262AA

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

Polarity: as marked

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

VBT10200C-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VBT10200C-E3

  • 功能描述

    DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO263AB

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 二极管,整流器 - 阵列

  • 系列

    TMBS®

  • 其它有关文件

    STTH10LCD06C View All Specifications

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    - 电压 - 在 If

  • 时为正向(Vf)(最大)

    2V @ 5A 电流 - 在 Vr

  • 时反向漏电

    1µA @ 600V 电流 -

  • 平均整流(Io)(每个二极管)

    5A 电压

  • -(Vr)(最大)

    600V

  • 反向恢复时间(trr)

    50ns

  • 二极管类型

    标准

  • 速度

    快速恢复 = 200mA(Io)

  • 二极管配置

    1 对共阴极

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

  • 供应商设备封装

    D2PAK

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1553(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    497-10107-2

更新时间:2025-10-6 15:05:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
2447
TO-263
100500
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22+
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100000
代理渠道/只做原装/可含税
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十年配单,只做原装
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62000
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