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VB20120SG中文资料

厂家型号

VB20120SG

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166.5Kbytes

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5

功能描述

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

VB20120SG数据手册规格书PDF详情

Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and TO-262AA package)

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

VB20120SG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VB20120SG

  • 制造商

    VISHAY

  • 制造商全称

    Vishay Siliconix

  • 功能描述

    High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

更新时间:2025-9-30 15:49:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
25+
TO-263
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
VISHAY
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TO-263
6000
十年配单,只做原装
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23+
TO-263
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原装正品,支持实单
VISHAY/威世
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TO-263
100000
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VISHAY/威世
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TO-263AB
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