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SIR808DP-T1-GE3中文资料

厂家型号

SIR808DP-T1-GE3

文件大小

480.57Kbytes

页面数量

13

功能描述

N-Channel 25 V (D-S) MOSFET

MOSFET 25 Volts 20 Amps 29.8 Watts

数据手册

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生产厂商

Vishay Siliconix

简称

Vishay威世科技

中文名称

官网

LOGO

SIR808DP-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIR808DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 25 Volts 20 Amps 29.8 Watts

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-26 9:52:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
2017+
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深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票
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Vishay Siliconix

中文资料: 286659条

Vishay公司是美国和欧洲地区最大的无源器件制造商,也是著名的分立半导体器件和IC制造商。 Vishay公司的无源器件包括电阻、无源传感器、电容、电感,半导体器件则包括二极管和各类晶体 管、光电子产品、功率IC和模拟开关IC,产品被美国、欧洲和亚洲的许多制造商所采用,被广泛应用 于计算机、电话、电视、汽车、家用器具、医疗仪器、卫星、军事/航空设备。公司成立于1962年, 总部设在美国宾夕法尼亚州,目前在全球14个国家拥有69个制造工厂,共有员工约20,000人,销售网 络遍布全球。