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SIR802DP-T1-GE3中文资料

厂家型号

SIR802DP-T1-GE3

文件大小

1098.19Kbytes

页面数量

7

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

MOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SIR802DP-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIR802DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-6 18:28:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
21+
QFN
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Vishay Siliconix
21+
原厂包装
1000
VISHAY(威世)
24+
PowerPAK-SO-8
9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
VISHAY
2024+
N/A
70000
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VISHAY
23+
DFN5*6
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DFN-8
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Vishay(威世)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
VISHAY
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
VB
21+
VFDFPN8
10000
原装现货假一罚十

SIR802DP-T1-GE3 价格

参考价格:¥3.5101

型号:SIR802DP-T1-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SIR802DP-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIR802DP-T1-GE3批发/采购报价,SIR802DP-T1-GE3行情走势销售排排榜,SIR802DP-T1-GE3报价。