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SIR414DP-T1-GE3中文资料
SIR414DP-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIR414DP-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 40V 50A 83W 2.8mohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-10-5 9:04:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
原装 |
32360 |
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VISHAY |
2024+ |
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VISHAY(威世) |
24+ |
PowerPAK-SO-8 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
DFN5*6 |
502591 |
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VISHAY |
20+ |
15000 |
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VISHAY |
25+ |
PAKSO-8 |
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VISHAY |
23+ |
QFN8 |
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VISHAY |
18+ |
QFN8 |
85600 |
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VISHAY |
24+ |
QFN8 |
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VISHAY |
25+ |
DFN-8 |
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SIR414DP-T1-GE3 价格
参考价格：￥4.4947
型号：SIR414DP-T1-GE3 品牌：VISHAY 备注：这里有SIR414DP-T1-GE3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIR414DP-T1-GE3批发/采购报价，SIR414DP-T1-GE3行情走势销售排排榜，SIR414DP-T1-GE3报价。
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