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SIR412DP-T1-GE3中文资料
SIR412DP-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIR412DP-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 25V 20A N-CH MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
SIR412DP-T1-GE3 价格
参考价格：￥1.9137
型号：SIR412DP-T1-GE3 品牌：Vishay 备注：这里有SIR412DP-T1-GE3多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIR412DP-T1-GE3批发/采购报价，SIR412DP-T1-GE3行情走势销售排排榜，SIR412DP-T1-GE3报价。
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