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SIR408DP-T1-GE3中文资料

厂家型号

SIR408DP-T1-GE3

文件大小

92.42Kbytes

页面数量

7

功能描述

N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

MOSFET 25 Volts 21.5 Amps 4.8 Watts

数据手册

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生产厂商

Vishay Siliconix

简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

LOGO

SIR408DP-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIR408DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 25 Volts 21.5 Amps 4.8 Watts

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-10-31 17:42:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
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SIR408DP-T1-GE3 价格

参考价格:¥2.3115

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Vishay相关电路图

  • VITALCONN
  • Vitec
  • VITESSE
  • VITROHM
  • VIVOTEK
  • VLSI
  • VMI
  • VML
  • VOLGEN
  • VOXPOWER
  • VPC
  • VPT

Vishay Siliconix 威世科技半导体

中文资料: 317638条

Vishay的旅程始于Felix Zandman博士和一项革命性的技术。从那时起,我们将在几十年内不断发展壮大,达到今天的地位:世界上最值得信赖的电子元件制造商之一。从分立式半导体到无源元件;从最小的二极管到最强大的电容器,Vishay我们称之为技术的DNA。® 这种DNA不仅仅是当今最重要的电子产品的基础设施,它还是实现增长的平台。Vishay处于有利地位,可以推动可持续性、连通性和移动性等及时的宏观经济增长动力。通过研发、制造、工程、质量、销售和市场营销,我们产生了必要的组件,使发明者和创新者能够创造新一代产品,这些产品跨越许多领域:汽车、工业、消费品、计算机、电信、军事、航空航天和医疗