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SI7792DP-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI7792DP-T1-GE3

文件大小

510.12Kbytes

页面数量

13

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

MOSFET 30 Volts 60 Amps 104 Watts

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SI7792DP-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI7792DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30 Volts 60 Amps 104 Watts

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-5 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
25+
PAKSO-8
20300
VISHAY/威世原装特价SI7792DP-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货
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21+
PowerPAKSO-8
10000
原装现货假一罚十
VISHAY
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
VISHAY/威世
23+
PowerPAKSO-8
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22+
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24+
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
VISHAY/威世
23+
PAKSO-8
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VISHAY/威世
24+
PAKSO-8
60000
VISHAY/威世
23+
PowerPAKSO-8
50000
全新原装正品现货,支持订货