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SI7772DP-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI7772DP-T1-GE3

文件大小

483.15Kbytes

页面数量

13

功能描述

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

MOSFET 30V 35.6A 29.8W 13mohm @ 10V

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SI7772DP-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI7772DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 35.6A 29.8W 13mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-4-17 16:34:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
21+
PAK-SO-8
3000
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100000
Trans MOSFET N-CH 30V 12.9A 8-Pin PowerPAK SO T/R
VISHAY
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
VISHAY/威世通
20+
DFN56
32550
原装优势主营型号-可开原型号增税票

SI7772DP-T1-GE3 价格

参考价格:¥1.8628

型号:SI7772DP-T1-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SI7772DP-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI7772DP-T1-GE3批发/采购报价,SI7772DP-T1-GE3行情走势销售排排榜,SI7772DP-T1-GE3报价。