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SI5857DU-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI5857DU-T1-GE3

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136.85Kbytes

页面数量

10

功能描述

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode

MOSFET 20V 6.0A 10.4W 58mohm @ 4.5V

数据手册

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简称

VISHAY威世

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SI5857DU-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI5857DU-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 6.0A 10.4W 58mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
25+
DFN
3000
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VISHAY/威世
24+
1206-8
19000
只做正品原装现货
VISHAY
1206-8
6688
15
现货库存
VISHAY
23+
SOP-8
30000
代理全新原装现货,价格优势
Vishay(威世)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
VISHAY/威世
23+
SOP-8
8160
原厂原装
Vishay Siliconix
22+
PowerPAK? ChipFET? Dual
9000
原厂渠道,现货配单
VISHAY/威世
23+
1206-8
50000
全新原装正品现货,支持订货
VISHAY/威世
2447
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23+
1206-8
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