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SI3867DV-T1中文资料

厂家型号

SI3867DV-T1

文件大小

100.95Kbytes

页面数量

6

功能描述

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

MOSFET 20V 5.1A 1.1W

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

威世科技半导体官网

SI3867DV-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3867DV-T1

  • 功能描述

    MOSFET 20V 5.1A 1.1W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-6 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
25+
SOT23-6
47867
VISHAY/威世全新特价SI3867DV-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货
VISHAY
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SOT23-6
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VISHAY/威世
2019+PB
SOT-23-6
45000
原装正品 可含税交易
VISHAY
23+
SOT23-6
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原装正品,假一罚十
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原装正品现货
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SOT23-5
50000
全新原装正品现货,支持订货

SI3867DV-T1-E3 价格

参考价格:¥2.9462

型号:SI3867DV-T1-E3 品牌:VISHAY 备注:这里有SI3867DV-T1多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI3867DV-T1批发/采购报价,SI3867DV-T1行情走势销售排排榜,SI3867DV-T1报价。