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SI3867DV-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI3867DV-T1-GE3

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450.77Kbytes

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9

功能描述

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

MOSFET 20V 5.1A 2.0W 51mohm @ 4.5V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI3867DV-T1-GE3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Available

• TrenchFET® Power MOSFET

APPLICATIONS

• Load Switch

SI3867DV-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3867DV-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 5.1A 2.0W 51mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-10 16:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi/台湾微碧
23+
TSOP6
30000
代理全新原装现货,价格优势
VISHAY/威世
25+
SOT23-6
47867
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VISHAY
16+
SOT23-6
3560
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VISHAY/威世
2019+PB
SOT23-6
3560
原装正品 可含税交易
VISHAY/威世
23+
SOT23-6
50000
全新原装正品现货,支持订货
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VB
21+
TSOP6
10000
原装现货假一罚十
VISHAY
24+
SOT23-6
3560
原装现货假一赔十