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DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• For Automatic Insertion
• End Stackable
• 175 °C Operating Temperature
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Lead (Pb)-free Available
IRFD123产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFD123
- 功能描述
MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
24+ |
4-HVMDIP |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
VISHAY(威世) |
24+ |
HVMDIP-4 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
VISHAY/威世 |
2427+ |
DIP |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
VISHAY |
1923+ |
DIP-4 |
6896 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
|||
VISHAY |
25+23+ |
DIP-4 |
27001 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
VISHAY |
23+24 |
DIP-4 |
29840 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
DIP-4 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
VISHAY/威世 |
22+ |
DIP-4 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
MOT |
2021+ |
DIP-4 |
6800 |
原厂原装,欢迎咨询 |
|||
INTERSIL |
2011+ |
DIP4 |
20000 |
原装现货 |
IRFD123PBF 价格
参考价格：￥3.6091
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- MAL209614681E3
- MAL209614821E3
- MAL209624102E3
- MAL209626182E3
- MAL209636122E3
- MAL210416102E3
- MAL210617333E3
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- P96
- P97
Vishay Siliconix 威世科技半导体
中文资料: 346316条
Vishay的旅程始于Felix Zandman博士和一项革命性的技术。从那时起，我们将在几十年内不断发展壮大，达到今天的地位：世界上最值得信赖的电子元件制造商之一。从分立式半导体到无源元件;从最小的二极管到最强大的电容器，Vishay我们称之为技术的DNA。® 这种DNA不仅仅是当今最重要的电子产品的基础设施，它还是实现增长的平台。Vishay处于有利地位，可以推动可持续性、连通性和移动性等及时的宏观经济增长动力。通过研发、制造、工程、质量、销售和市场营销，我们产生了必要的组件，使发明者和创新者能够创造新一代产品，这些产品跨越许多领域：汽车、工业、消费品、计算机、电信、军事、航空航天和医疗
