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VBM16R02S中文资料

厂家型号

VBM16R02S

文件大小

1120.4Kbytes

页面数量

12

功能描述

N-Channel 600V(D-S) Super Junction Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

VBM16R02S数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Isolated Package

• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;

f = 60 Hz)

• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

• Dynamic dV/dt Rating

• Low Thermal Resistance

• Lead (Pb)-free Available

更新时间:2025-11-26 9:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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