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VBM165R22中文资料

厂家型号

VBM165R22

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444Kbytes

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8

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

VBM165R22数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Optimal Design

- Low Area Specific On-Resistance

- Low Input Capacitance (Ciss)

- Reduced Capacitive Switching Losses

- High Body Diode Ruggedness

- Avalanche Energy Rated (UIS)

• Optimal Efficiency and Operation

- Low Cost

- Simple Gate Drive Circuitry

- Low Figure-Of-Merit (FOM): Ron x Qg

- Fast Switching

APPLICATIONS

• Consumer Electronics

- Displays (LCD or Plasma TV

• Server and Telecom Power Supplies

- SMPS

• Industrial

- Welding, Induction Heating, Motor Drives

• Battery Chargers

更新时间:2025-11-26 9:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI
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