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VBE165R05中文资料

厂家型号

VBE165R05

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1026.74Kbytes

页面数量

12

功能描述

N-Channel 650V (D -S) Super Junction Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

VBE165R05数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive

Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/

Ruggedness

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

更新时间:2025-10-14 14:39:00
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