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VBE165R02中文资料

厂家型号

VBE165R02

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780.29Kbytes

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9

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

VBE165R02数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive

Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

更新时间:2025-10-14 15:01:00
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