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STP12NB30中文资料

厂家型号

STP12NB30

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8

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

MOSFET N-Ch 300 Volt 12 Amp

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

STP12NB30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP12NB30

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 300 Volt 12 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-26 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
25+
TO-220
19300
全新原装正品支持含税
ST
24+
N/A
2000
ST
23+
TO-220
5000
原装正品,假一罚十
ST
24+
TO-220
4000
原装现货热卖
ST
17+
TO-220
6200
ST
16+
TO-220
10000
全新原装现货
ST
25+
标准封装
18000
原厂直接发货进口原装
ST
25+
TO-220
2987
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电!
ST
23+
TO-220
10000
专做原装正品,假一罚百!
ST
20+
TO-220
38560
原装优势主营型号-可开原型号增税票