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STP12IE90F4中文资料

厂家型号

STP12IE90F4

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274.39Kbytes

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11

功能描述

Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 900 V - 12A - 0.083 ohm

功率驱动器IC Swtch Bi Transistr ESBT 900 V 12

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STP12IE90F4数据手册规格书PDF详情

Description

The STP12IE90F4 is manufactured in Monolithic ESBT Technology, aimed to provide best performances in high frequency / high voltage applications.

It is designed for use in Gate Driven based topologies.

General features

■ High voltage / high current Cascode configuration

■ Low equivalent on resistance

■ Very fast-switch up to 150 kHz

■ Squared RBSOA up to 900V

■ Very low Ciss driven by RG = 47Ω

■ Very low turn-off cross over time

STP12IE90F4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP12IE90F4

  • 功能描述

    功率驱动器IC Swtch Bi Transistr ESBT 900 V 12

  • RoHS

  • 制造商

    Micrel

  • 产品

    MOSFET Gate Drivers

  • 类型

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 电源电压-最大

    30 V

  • 电源电压-最小

    2.75 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-8

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-9 15:37:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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