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SQD50N03-09-GE3中文资料

厂家型号

SQD50N03-09-GE3

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1019.81Kbytes

页面数量

8

功能描述

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

MOSFET 30V 62A 7.1W 10mohm @ 10V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SQD50N03-09-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SQD50N03-09-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 62A 7.1W 10mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-13 15:05:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
25+
TO-252
12394
VBsemi
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
VIS
23+
TO-252
10000
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VISHAY/威世
2447
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21+
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6000
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NK/南科功率
2025+
TO-252
986966
国产