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SQD50N03-06P-GE3中文资料

厂家型号

SQD50N03-06P-GE3

文件大小

1019.83Kbytes

页面数量

8

功能描述

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

MOSFET 30V 84A 88W 6.5mohm @ 10V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SQD50N03-06P-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SQD50N03-06P-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 84A 88W 6.5mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-13 16:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
24+
TO252
5000
全新原装正品,现货销售
VBsemi
24+
TO252
12000
原装正品 假一罚十 可拆样
VBsemi
24+
TO252
25836
新到现货,只做全新原装正品
VISHAY
SOT-252
30216
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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24+
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SOT-252
50000
全新原装正品现货,支持订货

SQD50N03-06P-GE3 价格

参考价格:¥16.3721

型号:SQD50N03-06P-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SQD50N03-06P-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SQD50N03-06P-GE3批发/采购报价,SQD50N03-06P-GE3行情走势销售排排榜,SQD50N03-06P-GE3报价。