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SIHF12N60E-E3中文资料

厂家型号

SIHF12N60E-E3

文件大小

1033.51Kbytes

页面数量

8

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SIHF12N60E-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHF12N60E-E3

  • 功能描述

    MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-7 14:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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SIHF12N60E-E3 价格

参考价格:¥8.0531

型号:SIHF12N60E-E3 品牌:VISHAY 备注:这里有SIHF12N60E-E3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIHF12N60E-E3批发/采购报价,SIHF12N60E-E3行情走势销售排排榜,SIHF12N60E-E3报价。