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SIA425EDJ-T1-GE3中文资料

厂家型号

SIA425EDJ-T1-GE3

文件大小

1252.52Kbytes

页面数量

9

功能描述

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

MOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SIA425EDJ-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIA425EDJ-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-2 17:40:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
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SIA425EDJ-T1-GE3 价格

参考价格:¥0.9417

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