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SIA421DJ-T1-GE3中文资料

厂家型号

SIA421DJ-T1-GE3

文件大小

1252.51Kbytes

页面数量

9

功能描述

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

MOSFET 30V 12A 19W 35mohm @ 10V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SIA421DJ-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIA421DJ-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 12A 19W 35mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-3 10:18:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
23+
愿厂愿封装
5000
诚芯易只做原装公司现货假一赔十!
VISHAY/威世
2025+
PowerPAKSC-70
5000
原装进口,免费送样品!
VISHAY(威世)
24+
PowerPAK-SC-70-6
9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
VISHAY
2024+
N/A
70000
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VISHAY(威世)
PowerPAK SC-70-6 单
4574
全新原装正品现货可开票
VISHAY
14+
15000
VISHAY
2016+
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Vishay/Siliconix
24+
SC-70-6
7500
VISHAY
25+
QFN
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
VISHAY
23+
SC70-6
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SIA421DJ-T1-GE3 价格

参考价格:¥2.6195

型号:SIA421DJ-T1-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SIA421DJ-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIA421DJ-T1-GE3批发/采购报价,SIA421DJ-T1-GE3行情走势销售排排榜,SIA421DJ-T1-GE3报价。

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