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SI3981DV-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI3981DV-T1-GE3

文件大小

520.22Kbytes

页面数量

9

功能描述

Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

MOSFET 20V 1.9A 1.08W 185mohm @ 4.5V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI3981DV-T1-GE3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• TrenchFET® Power MOSFET

• 100 Rg Tested

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

• Load Switch for Portable Applications

• Battery Switch for Portable Devices

• Computers

- Bus Switch

- Load Switch

SI3981DV-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3981DV-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 1.9A 1.08W 185mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-9 16:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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