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SI3951DV-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI3951DV-T1-GE3

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520.169Kbytes

页面数量

9

功能描述

Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

MOSFET 20V 2.7A 2.0W 115mohm @ 4.5V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI3951DV-T1-GE3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• TrenchFET® Power MOSFET

• 100 Rg Tested

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

• Load Switch for Portable Applications

• Battery Switch for Portable Devices

• Computers

- Bus Switch

- Load Switch

SI3951DV-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3951DV-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 2.7A 2.0W 115mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-9 13:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI/台湾微碧
24+
SOT23-6
60000
VBSEMI微碧半导体
2450+
SOT-23-6
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
VBSEMI/台湾微碧
23+
SOT23-6
50000
全新原装正品现货,支持订货
VBSEMI/台湾微碧
23+
SOT23-6
50000
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VISHAY
25+
TSOP-6
3675
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VISHAY/威世
24+
NA/
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CCS
23+
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