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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VT2080C | Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, an | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VT2080C | Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.69 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VT2080C | Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.74 Kbytes Page：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VT2080C | Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Trench MOS Schottky technology FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, an | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, an | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, an | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：135.59 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：153.23 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.69 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
B - Indoor keyed 文件：224.32 Kbytes Page：5 Pages | LEMO 雷莫 | | ||
B - Indoor keyed 文件：173.32 Kbytes Page：4 Pages | LEMO 雷莫 | | ||
B - Indoor keyed 文件：220.53 Kbytes Page：5 Pages | LEMO 雷莫 | | ||
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VT2080C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VT2080C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3350 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
VISHAY |
24+ |
TO220 |
8000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
VISHAY |
1036+ |
TO220AB |
100 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO220 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
VISHAY |
25+ |
SOT-89 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
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Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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VISHAY |
25+ |
TO220AB |
100 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
22+ |
TO220 |
20000 |
只做原装 |
||||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220 |
60000 |
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VT2080C规格书下载地址
VT2080C参数引脚图相关
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- VT3060C
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- VT2N3
- VT2N2
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- VT23N2
- VT23N1
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- VT20N3
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- VT20A432
- VT20A114
- VT2080S-M3-4W
- VT2080S-M3/4W
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- VT2080SHM3/4W
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- VT2080CHM3-4W
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VT2080C数据表相关新闻
VXA-55-101E
优势渠道
2023-6-21VT1211
VT1211
2023-6-6VT263WFQR-ADJ十年IC，只做原装。
VT263WFQR-ADJ 十年IC，只做原装。
2020-10-19VUO62-16NO7
VUO62-16NO7,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-9-9VST025N15HS
VST025N15HS，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-26VST012N15HS
VST012N15HS，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-26
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