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VT10200C-E3_V01

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA packa

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威世科技威世科技半导体

Vishay
更新时间:2025-8-5 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
24+
NA/
4650
原装现货,当天可交货,原型号开票
VISHAY
20+
TO220-3
38560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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