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VSD013N10MS

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

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DOINGTER

杜因特

MOSFET - Power, Single N-Channel 100 V, 13.6 m, 52 A

Features • Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET - Power, Single N-Channel 100 V, 13.6 m, 52 A

Features • Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

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DOINGTER

杜因特

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-8-18 17:24:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
威兆
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TO252
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原厂代理 终端免费提供样品
VANGUARD
25+
TO-252
188600
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询
NK/南科功率
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986966
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VANGUARD/威兆
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TO-252
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电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择

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