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位置：首页 > IC中文资料第11147页 > VSB3200

VSB3200价格

参考价格：￥1.6266

型号：VSB3200-M3/54 品牌：Vishay 备注：这里有VSB3200多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VSB3200批发/采购报价，VSB3200行情走势销售排行榜，VSB3200报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
VSB3200

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VSB3200

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

分立 ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VSB3200

3A 200V Schottky diode

文件：421.987 Kbytes Page：2 Pages

SUNMATE

森美特

PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司

VSB3200

3A 200V Schottky diode

文件：421.987 Kbytes Page：2 Pages

SUNMATE

森美特

PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司

VSB3200

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：75.54 Kbytes Page：4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VSB3200

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：73.97 Kbytes Page：4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VSB3200_V01

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VSB3200S

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

分立 ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VSB3200_12

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VSB3200_15

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VSB3200-E3/73

封装/外壳：DO-201AD，轴向 包装：带盒（TB） 描述：DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO201AD 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ETC

知名厂家

VSB3200-M3/51

封装/外壳：DO-201AD，轴向 包装：管件 描述：DIODE SCHOTTKY DO201AD 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ETC

知名厂家

VSB3200-M3-54

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：75.54 Kbytes Page：4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VSB3200-M3-54

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：73.97 Kbytes Page：4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VSB3200-M3-73

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：73.97 Kbytes Page：4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VSB3200-M3-73

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VSB3200S

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VSB3200S-M3-54

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：88.57 Kbytes Page：4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VSB3200S-M3-73

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

MAZ3200

Silicon planar type

Silicon planar type For stabilization of power supply ■ Features • Mini type package (3-pin) • Allowing to achieve a high-density set • Sharp rising performance • Wide voltage range: VZ = 2.0 V to 36 V

PANASONIC

松下

MAZ3200-L

Silicon planar type

Silicon planar type For stabilization of power supply ■ Features • Mini type package (3-pin) • Allowing to achieve a high-density set • Sharp rising performance • Wide voltage range: VZ = 2.0 V to 36 V

PANASONIC

松下

MAZ3200-M

Silicon planar type

Silicon planar type For stabilization of power supply ■ Features • Mini type package (3-pin) • Allowing to achieve a high-density set • Sharp rising performance • Wide voltage range: VZ = 2.0 V to 36 V

PANASONIC

松下

MMDF3200Z

DUAL TMOS POWER MOSFET 11.5 AMPERES 20 VOLTS

Medium Power Surface Mount Products TMOS Dual N-Channel Field Effect Transistors WaveFET™ devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s latest MOSFET technology process to achieve the lowest possible on–resistance per silicon area. They are capable of withstanding high

MOTOROLA

摩托罗拉

OL3200N

1.3 關m Laser-Diode DIP Module

文件：44.39 Kbytes Page：3 Pages

OKIOki Electric Cable Co.,Ltd

冲电线日本冲电线株式会社

VSB3200产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VSB3200

  • 制造商

    VISHAY

  • 制造商全称

    Vishay Siliconix

  • 功能描述

    High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更新时间：2026-5-24 22:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市华斯顿科技有限公司
VSB3200S-E3
VISHAYMAS
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深圳诚思涵科技有限公司
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富凯科技(深圳）有限公司
VSB3200肖特基二极管
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深圳市正迈科技有限公司
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深圳市腾亿芯科技有限公司
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VISHAY/威世
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深圳市亿顺芯科技有限公司
VSB3200肖特基二极管
VISHAY/威世
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DO-201AD
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