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VSB2200S_V01

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 defin

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

更新时间:2025-11-22 20:00:00
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