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VS4805DS

Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

VS4805DS

P-Channel Mosfet

VERGIGA

威兆半导体

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4805 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features VDS = -30V,ID = - 8.0A RDS(ON)typ 17mΩ @ VGS= -10V

TUOFENG

拓锋半导体

Graphite Brush

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ASSUN

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TTELEC

更新时间:2025-12-27 13:35:00
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    2021-6-17
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