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VS-C16CP07L-M3_V01

650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 2 x 8 A

FEATURES • Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material • Positive VF temperature coefficient, for easy paralleling • Virtually no recovery tail and no switching losses • Temperature invariant switching behavior • 175 °C maximum operating junction temperatu

VishayVishay Siliconix

威世科技

更新时间:2025-9-24 9:36:00
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