型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
VNW50N04

?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNW50N04

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO247-3 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNW50N04

”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

STMICROELECTRONICS

意法半导体

”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

STMICROELECTRONICS

意法半导体

?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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意法半导体

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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意法半导体

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

40 V – 50 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive

Description The NP50N04YUK is N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features  Super low on-state resistance RDS(on) = 4.8 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 25 A)  Non logic level drive type  Designed for automotive application and AEC-Q101 qualif

RENESAS

瑞萨

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@8A

PANJIT

強茂

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@8A

PANJIT

強茂

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@20A

PANJIT

強茂

Product Scout Automotive

文件:5.67799 Mbytes Page:6 Pages

RENESAS

瑞萨

VNW50N04产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VNW50N04

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-26 14:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
25+
SOP-8
996880
只做原装,欢迎来电资询
VISHAY
专业光耦
SOP8
65800
光耦原装优势主营型号-可开原型号增税票
VISHAY
24+
SOP8
5989
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
ST
24+
TO247
8866
ST/意法
17+
TO-247
31518
原装正品 可含税交易
VISHAY/威世
1628+
SOP8
16580
代理品牌
TI/德州仪器
24+
DIP
13718
只做原装 公司现货库存
VISHAY/威世
24+
NA/
3510
原装现货,当天可交货,原型号开票
STMicroelectronics
24+
TO-247-3
36500
一级代理/放心采购
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23+
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69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!

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