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VND7N04-1

?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description The VND7N04, VND7N04-1 and VNK7N04FM are monolithic devices made using STMicroeletronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND7N04-1

Fully autoprotected power MOSFET

Description The VND7N04, VND7N04-1 and VNK7N04FM are monolithic devices made using STMicroeletronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND7N04-1

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 包装:管件 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 IPAK 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND7N04-1

OMNIFETFully autoprotected power MOSFET

文件:511.85 Kbytes Page:17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 包装:管件 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 IPAK 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND7N04-1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VND7N04-1

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-26 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法)
2511
5904
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
ST/意法
22+
N
30000
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na
65790
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ST/意法
23+
TO-251
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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23+
TO-251
50000
全新原装正品现货,支持订货
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24+
IPAKTO-251
8866
ST
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振宏微原装正品,假一罚百
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20+
SOT252
25000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST/意法
2022+
IPAKTO-2
12888
原厂代理 终端免费提供样品
STMicroelectronics
24+
I-PAK
36500
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