VNB10N07TR价格

参考价格:¥5.0478

型号:VNB10N07TR-E 品牌:STMICROELECTRONICS 备注:这里有VNB10N07TR多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,VNB10N07TR批发/采购报价,VNB10N07TR行情走势销售排行榜,VNB10N07TR报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION The VNB10N07, VNK10N07FM, VNP10N07FI and VNV10N07 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp

STMICROELECTRONICS

意法半导体

OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

文件:511.93 Kbytes Page:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

STMICROELECTRONICS

意法半导体

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

文件:399.78 Kbytes Page:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

10 Ampere Heatsink Dual Tandem Polarity General Purpose Rectifier Diodes

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THINKISEMI

思祁半导体

Discrete Diodes

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SIRECTIFIER

矽莱克电子

VNB10N07TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VNB10N07TR

  • 功能描述

    电源开关 IC - 配电 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    Exar

  • 输出端数量

    1

  • 开启电阻(最大值)

    85 mOhms

  • 开启时间(最大值)

    400 us

  • 关闭时间(最大值)

    20 us

  • 工作电源电压

    3.2 V to 6.5 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-23-5

更新时间:2025-12-27 17:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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