VNB10N价格

参考价格:¥4.9468

型号:VNB10N07-E 品牌:STMICROELECTRONICS 备注:这里有VNB10N多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,VNB10N批发/采购报价,VNB10N行情走势销售排行榜,VNB10N报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION The VNB10N07, VNK10N07FM, VNP10N07FI and VNV10N07 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp

STMICROELECTRONICS

意法半导体

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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意法半导体

OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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意法半导体

OMNIFET:全自动保护功率MOSFET

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意法半导体

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

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意法半导体

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:卷带(TR) 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

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FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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VNB10N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VNB10N

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 70V 10A OmniFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-27 9:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
2024+
N/A
70000
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ST/意法
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TO-263
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TO-263
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ST(意法半导体)
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