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VIT4060C-E3

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use i

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Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A

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Trench MOS Schottky technology

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封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 包装:卷带(TR) 描述:DIODE SCHOTTKY 40A 60V TO-262AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

ETC

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FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in

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VIT4060C-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VIT4060C-E3

  • 制造商

    Vishay Semiconductors

  • 功能描述

    40A,60V,TRENCH SKY RECT.

更新时间:2026-3-1 14:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VTI
25+
TO-220F
5900
全新现货
VISHAY/威世
23+
TO-262AA
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
24+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
Vishay Semiconductor Diodes Di
22+
TO262AA
9000
原厂渠道,现货配单
Vishay General Semiconductor -
25+
TO-262-3 长引线 I?Pak TO-26
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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25+
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