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VIT2060G-E3SLASH4W | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：173.6 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 |   | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：173.6 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
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更新时间：2025-10-7 11:10:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVIS |
23+ |
TO-263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
24+ |
N/A |
58000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO262AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-262AA |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
VISHAY |
25+ |
TO-262 |
3675 |
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