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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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VI20200C | DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.60VatIF=5A UltraLowVF=0.60VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathte | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  |   |
VI20200C | DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：160.99 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
VI20200C | DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：157.42 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
VI20200C | DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：147.86 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106 | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
TrenchMOSSchottkytechnology UltraLowVF=0.60VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathte | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.60VatIF=5A UltraLowVF=0.60VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathte | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：管件 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO262 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division |  | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：160.99 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
SWITCHMODESchottkyPowerRectifier TheSWITCHMODEPowerRectifieremploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.State–of–the–artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinverylow–voltage,high–frequencys | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | | |
FastRecoveryRectifier 文件：258.32 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
20.0AmpereSurfaceMountDualCommonCathodeSchottkyBarrierRectifiers 文件：778.85 Kbytes Page：2 Pages | THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思凯半导体思凯半导体有限公司 |  | | |
NoninductivePlanarLowCost,20WattTO220PackageThickFilmResistor 文件：50.48 Kbytes Page：3 Pages | BITECH 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司 |  | | |
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VI20200C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VI20200C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
17+ |
TO262 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
原装 |
22+23+ |
17462 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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VISHAY |
2017+ |
TO262 |
32568 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
VISHAY |
1342+ |
2500 |
原装现货 |
||||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-262 |
20000 |
原装环保原带原标签公司现货 |
|||
VISHAY |
TO262 |
396379 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO262AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
VISHAY |
2020+ |
TO262 |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
TO-262-3 |
9328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO262 |
2985 |
只做原装自家现货供应! |
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